產(chǎn)品介紹

RM 2137硅中硼植入深度剖面濃度校準(zhǔn)（標(biāo)準(zhǔn)品）旨在用于通過(guò)二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對(duì)硅基質(zhì)中微量和痕量硼的二次離子響應(yīng)。 SRM 2137 的一個(gè)單元由一個(gè)單晶硅襯底組成，其表面通過(guò)硅離子注入而變得無(wú)序。襯底被離子注入同位素10B，標(biāo)稱(chēng)能量為50 keV。 SRM 2137 已通過(guò)中子深度剖析獲得 10B 原子保留劑量的認(rèn)證。劑量以每單位面積 10B 質(zhì)量為單位表示。 SIMS 提供了關(guān)于 10B 原子濃度隨地表以下深度變化的未經(jīng)認(rèn)證的信息。

認(rèn)證值和不確定度：

10B 原子的總保留劑量通過(guò)稱(chēng)為中子深度剖析的中子反應(yīng)方法確定，使用沉積在硅上的金屬 10B 校準(zhǔn)參考膜作為標(biāo)準(zhǔn)。所述不確定度是 95% 的覆蓋率，95% 的置信度容差區(qū)間，包括隨機(jī)測(cè)量誤差、材料變異性估計(jì)和系統(tǒng)不確定性。假設(shè)由于注入過(guò)程中的空間變化，SRM 單元之間的實(shí)際保留劑量可能會(huì)有所不同。由認(rèn)證值定義的區(qū)間及其相關(guān)不確定性涵蓋了至少 95% 的 SRM 單位中的真實(shí) 10B 劑量，置信度為 95%。

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